Módulo de potencia de SiC
Descubra la innovadora serie de módulos semiconductores de potencia de SiC de HIITIO, que aprovecha el potencial del carburo de silicio para la electrónica de potencia de última generación. Estos módulos ofrecen una eficiencia excepcional, un rendimiento robusto a altas temperaturas y una fiabilidad inigualable, ideales para aplicaciones exigentes en vehículos eléctricos, energías renovables y sectores industriales.
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Imagen | Número de refacción | Tipo | PREMIUM | Diagrama de circuito | Voltaje de bloqueo (V) | Corriente (A) | RDs(activado) (mΩ) | Temperatura máxima (℃) | Especificaciones |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Híbrido SiC/Si | Easy 2B | ANPC | 1200 | 100 | 9.5 | 175 | ||
 | SiC | HPD | FT: Three phase | 1200 | 600 | 2.5 | 175 | ||
| SiC | HPD | FT: Three phase | 1200 | 600 | 2 | 175 | ||
| SiC | HPD | FT: Three phase | 1400 | 800 | 2.3 | 175 | ||
| SiC | HPD | FT: Three phase | 1400 | 600 | 3.2 | 175 | ||
| SiC | Easy 2B | Chopper | 1200 | 200 | 3.9 | 175 | ||
| SiC | Easy 2B | Chopper | 1200 | 200 | 3.9 | 175 | ||
 | SiC | Easy 1B | FT: Three phase | 1200 | 150 | 5.5 | 175 | ||
| SiC | Easy 1B | Half Bridge | 1200 | 150 | 6.2 | 175 | ||
| SiC | Easy 2B | Half Bridge | 1200 | 200 | 6 | 175 | ||
| SiC | Easy 2B | Half Bridge | 1200 | 200 | 6 | 175 | ||
| SiC | Easy 2B | Half Bridge | 1200 | 160 | 7.5 | 175 | ||
| SiC | Easy 1B | FT: Three phase | 1200 | 150 | 9 | 175 | ||
| SiC | Easy 1B | Half Bridge | 1200 | 100 | 10.1 | 175 | ||
 | SiC | 62 mm | Half Bridge | 1200 | 200 | 8.48 | 175 | ||
 | SiC | Econo Dual 3A | Half Bridge | 1200 | 300 | 6.1 | 175 | ||
 | SiC | Econo Dual 3B | Half Bridge | 1200 | 300 | 6.1 | 175 | ||
| SiC | 62 mm | Half Bridge | 1700 | 300 | 6.7 | 175 | ||
| SiC | Econo Dual 3A | Half Bridge | 1700 | 300 | 6.7 | 175 | ||
| SiC | Econo Dual 3B | Half Bridge | 1700 | 400 | 4.5 | 175 |
