Módulos de potencia IGBT
El módulo de potencia IGBT de HIITIO es un componente central diseñado específicamente para aplicaciones electrónicas de alta potencia, que integra tecnología de semiconductores avanzada con confiabilidad de grado industrial. El producto utiliza una arquitectura de chip IGBT de tercera generación, combinada con tecnología de empaquetado de baja pérdida, que brinda soluciones de conversión de energía estables y eficientes para industrias como unidades industriales, generación de energía renovable, vehículos eléctricos y electrodomésticos inteligentes.
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Imagen | Número de refacción | Tipo | PREMIUM | Diagrama de circuito | Voltaje de bloqueo (V) | Corriente (A) | RDs(activado) (mΩ) | Temperatura máxima (℃) | Especificaciones |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IGBT | 34 mm | Half Bridge | 1200 | 100 | ||||
| IGBT | 34 mm | Half Bridge | 1700 | 100 | ||||
 | IGBT | Easy 2B | FL: 3-level | 650 | 100 | 150 | |||
 | IGBT | Econo PIM 3H | PIM | 1200 | 100 | ||||
 | IGBT | Econo PIM 2H | FT: Three phase | 1200 | 100 | 150 | |||
| IGBT | Econo PIM 2H | FT: Three phase | 1200 | 100 | 150 | |||
| IGBT | Econo PIM 3H | FF : Full-Bridge | 1700 | 150 | ||||
| IGBT | 34 mm | Half Bridge | 1200 | 150 | ||||
 | IGBT | 62 mm | Half Bridge | 1200 | 150 | 175 | |||
| IGBT | Easy 2B | FL: 3-level | 650 | 150 | 150 | |||
| IGBT | 62 mm | Half Bridge | 1700 | 200 | 175 | |||
| IGBT | 62 mm | Half Bridge | 1200 | 200 | 150 | |||
| IGBT | 62 mm | Half Bridge | 1700 | 200 | 175 | |||
| IGBT | 62 mm | Half Bridge | 1200 | 200 | 175 | |||
| IGBT | Econo PACK 2H | FB: Booster | 2000 | 240 | ||||
| IGBT | 62 mm | Half Bridge | 1200 | 300 | ||||
| IGBT | 62 mm | Half Bridge | 1200 | 300 | 175 | |||
| IGBT | 62 mm | Half Bridge | 1700 | 300 | 175 | |||
 | IGBT | Econo Dual 3H | Half Bridge | 1700 | 300 | 175 | |||
 | IGBT | Easy 3B | FB: Booster | 1000 | 400 |
