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Módulos de potencia de semiconductores

Los módulos de potencia HIITIO están diseñados para una conversión y un control de potencia eficientes, integrando tecnologías IGBT, MOSFET y SiC. Ofrecen alta densidad de potencia y baja pérdida, y se utilizan ampliamente en la industria, la energía renovable, el transporte eléctrico y los electrodomésticos.

Categoría:
Tipo de módulo
PREMIUM
Diagrama de circuito
Voltaje de bloqueo (V)
Corriente (A)
RDS(activado) (mΩ)
Temperatura máxima (℃)
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Tipo
PREMIUM
Diagrama de circuito
Voltaje de bloqueo (V)
Corriente (A)
RDs(activado) (mΩ)
Temperatura máxima (℃)
Especificaciones
SiC SBD
TO-220-2
1200
2
159
SiC SBD
TO-220-2
650
4
153
SiC SBD
DFN8*8
650
6
159
SiC SBD
SOT-227
1200
120
108
SiC SBD
TO-247-3
1200
16
155
SiC SBD
TO-247-3
1200
20
152
SiC SBD
TO-247-2
1200
20
150
SiC SBD
TO-247-3
1200
40
151
SiC SBD
TO-247-2
1200
40
155
SiC SBD
TO-247-2
1200
60
144
IGBT
H1
3300
1000
IGBT
34 mm
Half Bridge
1200
100
IGBT
34 mm
Half Bridge
1700
100
IGBT
Easy 2B
FL: 3-level
650
100
IGBT
Easy 2B
FL: 3-level
650
100
150
IGBT
Econo PIM 3H
PIM
1200
100
IGBT
Econo PIM 2H
FT: Three phase
1200
100
150
IGBT
Econo PIM 2H
FT: Three phase
1200
100
150
IGBT
E6
Chopper
1700
1200
IGBT
H
3300
1500
12...10
Logotipo de HIITIO completo 300

¡Contáctenos hoy para descubrir cómo nuestros productos innovadores pueden impulsar sus proyectos futuros!

Con más de 20 años de experiencia y más de 500 clientes satisfechos en más de 50 países, HIITIO es su socio de confianza para soluciones de CC de alto voltaje en vehículos eléctricos, sistemas de energía solar, aplicaciones de almacenamiento de energía, y más.

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Zhejiang HIITIO New Energy Co., Ltd aporta más de 20 años de experiencia en electrónica de potencia y un equipo de más de 70 ingenieros de I+D para ofrecer soluciones innovadoras de conversión de energía en todo el mundo.

Especializados en módulos IGTB y MOSFET, sistemas de conversión de energía y tecnologías de empaquetado avanzadas, nuestros productos impulsan aplicaciones como vehículos eléctricos, sistemas de energía renovable y controladores de motores industriales.

¡Conéctese con nosotros hoy para transformar su futuro energético!

Comparación de tecnología

Comprender las ventajas de las diferentes tecnologías de semiconductores para su aplicación.

Parámetro Si IGBT MOSFET DE SiC Híbrido SiC/Si Dossier de prensa IGBT
Frecuencia de Cambio Medio bajo
1 20-kHz
Muy Alta
50 200-kHz
Alta
20 100-kHz
Baja
0.1 5-kHz
Eficiencia del sistema 95-97% 98-99% 97-98% 96-98%
Densidad de poder Media
2-5 kW/L
Muy Alta
10-20 kW/L
Alta
5-15 kW/L
Muy Alta
8-25 kW/L
Costo Inicial Baja
Base
Alta
3-5x
Media
1.5-2x
Medio-alto
2-3x
Temperatura máxima de la unión 150 ° C 200 ° C + 175 ° C 125 150-° C
Voltaje Hasta 6500 V Hasta 1700 V Hasta 1700 V Hasta 6500 V
Aplicaciones típicas Accionamientos de motor
Inversores solares
Cargadores de EV
Inversores solares
Accionamientos industriales
Almacenamiento de energía
Sistemas HVDC
Energía Eólica
Madurez del mercado Muy maduro Desarrollo Emergentes Maduro

📋 Pautas de selección

✓ Elija Si IGBT cuando:
  • El costo es la principal preocupación
  • Baja frecuencia de conmutación
  • Se requiere alto voltaje
  • Se necesita tecnología probada
✓ Elija SiC MOSFET cuando:
  • Alta eficiencia crítica
  • Se necesita tamaño compacto
  • Operación de alta frecuencia
  • El rendimiento térmico es importante
✓ Elija SiC/Si híbrido cuando:
  • Equilibrar costo y rendimiento
  • Actualización de Si IGBT
  • Aplicaciones de frecuencia media
  • Solución de compromiso
✓ Elija Press Pack cuando:
  • Se requiere potencia ultraalta
  • Se necesita una refrigeración excelente
  • Aplicaciones HVDC
  • Máxima confiabilidad

Guía de Selección de Productos

Encuentre el módulo de potencia perfecto para su aplicación en 4 sencillos pasos.

¿Cuál es su aplicación principal?

Accionamientos de motor

Capacidad de alta frecuencia de conmutación con excelente rendimiento térmico.

Transmisión HVDC

Capacidad de voltaje ultra alto con manejo de potencia superior

Sistemas UPS

Capacidad de voltaje ultra alto con manejo de potencia superior

Energía renovable

Máxima eficiencia y fiabilidad para aplicaciones solares y eólicas.

Definir aplicación

Identifique la aplicación (unidades industriales, inversores fotovoltaicos, vehículos eléctricos, almacenamiento de energía o transmisión en red) y defina los requisitos de rendimiento, vida útil y condiciones ambientales.

Requisitos de voltaje y corriente

Seleccione el rango de voltaje (600 V–6500 V) y la capacidad de corriente adecuados. Los sistemas de alto voltaje son adecuados para IGBT de alto voltaje o IGBT de paquete a presión; las aplicaciones de eficiencia de voltaje medio/bajo prefieren módulos de SiC o componentes discretos de SiC.

Conmutación y eficiencia

Evalúe las necesidades de frecuencia y eficiencia de conmutación. Los casos de alta frecuencia (cargadores rápidos, inversores fotovoltaicos) requieren módulos de SiC, mientras que los variadores tradicionales pueden usar módulos IGBT.

Térmica y embalaje

Evalúe soluciones de empaquetado y refrigeración. Los IGBT de paquete de prensa destacan por su alto ciclo térmico, los discretos de SiC se adaptan a sistemas compactos y los módulos híbridos equilibran la disipación térmica y el tamaño.

Estamos en cada paso del camino

01

Módulo de potencia IGBT de semiconductores Precess-10

aserrado de obleas

02

Módulo de potencia IGBT de semiconductores Precess-15

Marcado láser

03

Módulo de potencia IGBT de semiconductores Precess-2

morir adjuntar

04

Módulo de potencia IGBT de semiconductores Precess-1

inserción automática de pines

05

Pasos para la fabricación de un módulo de potencia MOSFET IGBT con cable de cobre de 5 hilos (5)

Alambre de cobre atado

06

Proceso del módulo de potencia IGBT 162057

Marcado láser de cajas

07

7 Pasos para la fabricación del módulo de potencia MOSFET IGBT del conjunto de caja (3)

Montaje de la caja

08

Módulo de potencia IGBT de semiconductores Precess-16

Pruebas HTRB

09

Módulo de potencia IGBT de semiconductores Precess-17

Pruebas de producto

Características y beneficios avanzados

Los módulos de potencia semiconductores de HIITIO proporcionan una conversión de energía de alto voltaje eficiente para aplicaciones industriales, automotrices y renovables.

High Efficiency

Los módulos IGBT y SiC de próxima generación reducen las pérdidas de conmutación y las necesidades de enfriamiento, mejorando la eficiencia general del sistema.

Fiabilidad robusta

Las pruebas de grado industrial y el embalaje avanzado (como la sinterización de plata y el enfriamiento de doble cara) garantizan un funcionamiento estable bajo altas cargas y temperaturas.

Calidad certificada

Cumplimiento de las normas IEC, avalado por certificaciones ISO e IATF, garantizando fiabilidad en los sectores de automoción y energía.

¿Por qué HIITIO?

Garantía de producción escalable

HIITIO cuenta con una base de producción de 3,100 m², que incluye una línea de producción de módulos de potencia de 1,500 m². Sus salas blancas de clase 10,000 300,000 respaldan un plan de capacidad anual de XNUMX XNUMX unidades, satisfaciendo así la demanda de entregas de alto volumen en los sectores industrial y de nuevas energías.

Capacidades de I+D de primer nivel

Nuestro equipo de I+D está compuesto en un 50% por profesionales con maestría o doctorado, y nuestros miembros principales tienen un promedio de más de 10 años de experiencia en el desarrollo de módulos de potencia. Hemos desarrollado con éxito una matriz completa de productos que abarca rangos de tensión de 650 a 6500 A y corrientes nominales de 10 a 5000 A, incluyendo topologías convencionales como PIM/paquete de 6/medio puente.

Sistema de calidad de grado militar

Se implementaron 23 puntos de control de calidad, como la inspección completa de vacíos por rayos X y las pruebas de rendimiento eléctrico dinámico/estático. Los productos cumplen con las normas IEC-100/60747/60749, y los módulos de SiC soportan temperaturas de hasta 60068 °C.

Con la confianza de clientes de la industria en todo el mundo

Preguntas Frecuentes

¿Cuáles son las diferencias entre los módulos IGBT, SiC e híbridos?

Los IGBT se adaptan a corrientes altas, el SiC permite una alta eficiencia y los híbridos combinan ambos para lograr un equilibrio entre costo y rendimiento.

Integran chips y empaques optimizados para reducir pérdidas, mejorar el rendimiento térmico y boost densidad.

Los módulos admiten refrigeración por aire, líquido y de doble cara, lo que garantiza un rendimiento estable bajo cargas elevadas.

Con una refrigeración adecuada, los módulos duran entre 15 y 20 años; el uso automotriz depende de los ciclos de carga y temperatura.

HIITIO ofrece soporte técnico integral, asistencia para pruebas y servicios de asociación a largo plazo, ayudando a los principales clientes a lograr soluciones confiables, rentables y escalables.

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