El HCH900FH120D3ME7 es un módulo de potencia híbrido de SiC de medio puente. Integra chips IGBT de alto rendimiento y diodos de barrera Schottky (SBD) de SiC, diseñados para aplicaciones como conmutación de alta potencia y control de motores.
El HCH900FH120D3ME7 es un módulo de potencia híbrido de SiC de medio puente. Integra chips IGBT de alto rendimiento y diodos de barrera Schottky (SBD) de SiC, diseñados para aplicaciones como conmutación de alta potencia y control de motores.
HIITIO® se fundó en 2018 como resultado de la incorporación de un equipo de I+D maduro por parte de Hecheng Electric. HIITIO se especializa en la producción de dispositivos eléctricos de CC de alto voltaje para vehículos eléctricos, sistemas de energía solar y aplicaciones de almacenamiento de energía.
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