Econo Dual 3H Módulo de potencia IGBT de 1200 V y 450 A
- Proceso de compuerta de zanja/parada de campo de 1200 V
- Bajo EMI
- VCEsat con coeficiente de temperatura positivo
- Sensor de temperatura integrado
- Sustrato de Al2O3 con baja resistencia térmica
Descripción
La HCG450FH120D3RB Es un módulo IGBT de alto rendimiento de 1200 V/450 A diseñado para aplicaciones avanzadas de electrónica de potencia. Con una puerta de trinchera de 1200 V y un proceso de parada de campo, este módulo ofrece baja interferencia electromagnética (EMI) y un coeficiente de temperatura positivo de VCEsat para una mayor fiabilidad. Integra un sensor de temperatura y utiliza un sustrato de Al₂O₃ de baja resistencia térmica para garantizar una disipación de calor eficiente.
Características Clave:
- Tecnología de compuerta de zanja/parada de campo de 1200 V
- Bajas emisiones EMI
- Coeficiente de temperatura positivo de VCEsat
- Sensor de temperatura integrado para monitorización
- Sustrato de Al2O3 de baja resistencia térmica
- Corriente de colector continua: 450A
- Corriente de colector pico repetitiva: 900 A
- Temperatura máxima de unión: 175 °C
- Tensión de prueba de aislamiento: 3 kV RMS
Aplicaciones
- Accionamientos de motor
- Sistema de control de potencia
- Generación de energía fotovoltaica
- Generación de energía eólica
- Sistemas UPS
- Accionamientos servo
