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Módulo de potencia SIC E2 1200 V 200 A

El HCS06FH120E2A2 es un módulo de potencia MOSFET de SiC de medio puente. Integra chips MOSFET de SiC de alto rendimiento, diseñados para aplicaciones como inversores solares, sistemas UPS, convertidores CC/CC de celdas de combustible y sistemas de almacenamiento de energía.

SKU HCS06FH120E2A2 Categoría:

Descripción

Caracteristicas

  • Voltaje de bloqueo: 1200V
  • Rds(encendido): 6.0 mΩ
  • Pérdidas de conmutación bajas
  • Temperatura máxima de unión 175°C
  • Termistor incorporado

Aplicaciones

  • Sistemas de inversores solares
  • Convertidores CC/CC de pilas de combustible
  • Fuentes de alimentación ininterrumpida (UPS)
  • Sistemas de almacenamiento de energía

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