El HCH10FA120E2C1 es un módulo de potencia de 3 niveles que integra chips MOSFET de SiC de 1200 V y chips IGBT de 1200 V. Está diseñado para aplicaciones como inversores solares, conmutación de alta frecuencia y sistemas de almacenamiento de energía.
HIITIO® se fundó en 2018 como resultado de la incorporación de un equipo de I+D maduro por parte de Hecheng Electric. HIITIO se especializa en la producción de dispositivos eléctricos de CC de alto voltaje para vehículos eléctricos, sistemas de energía solar y aplicaciones de almacenamiento de energía.
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