650V 450A Easy 3B Módulo de potencia IGBT
- Tensión colector-emisor (VCES): 650V
- Corriente de colector de CC (ICDC): 346 A (T1/T4), 271 A (T2/T3)
- Corriente de colector pico repetitiva (ICRM): 900A
- Disipación de potencia total (Pa ): 470 W (T1/T4), 339 W (T2/T3)
- Voltaje puerta-emisor (VGES): ±20V
- Temperatura de funcionamiento de la unión (Tj): Hasta 175°C
- Resistencia Térmica (RthJH): 0.202 K/W (T1/T4), 0.231 K/W (T2/T3)
Descripción
La HCG450FL065E3RD Es un módulo IGBT de alto rendimiento de 650 V y 450 A de Zhejiang HIIITIO New Energy Co., Ltd., diseñado para aplicaciones de inversores NPC de 3 niveles tipo I. Con tecnología avanzada de compuerta de trinchera/parada de campo, ofrece baja tensión.CEsatPérdidas de conmutación mínimas y un coeficiente de temperatura positivo para una eficiencia superior. El módulo incorpora un módulo de Al.2O3 Sustrato para baja resistencia térmica, un diseño compacto de baja inductancia y tecnología DBC para una mejor disipación del calor, lo que garantiza confiabilidad en condiciones exigentes.
Características Clave:
- Topología NPC de 650 niveles de 3 V:Optimizado para inversores de alta potencia.
- Baja VCEsat y pérdidas por conmutación: Boosts eficiencia en operaciones de alta frecuencia.
- Al2O3 sustrato:Garantiza una baja resistencia térmica para un rendimiento confiable.
- Diseño compacto de baja inductancia:Reduce la EMI y mejora la estabilidad.
- Tecnología DBC:Mejora la disipación del calor para una mayor durabilidad.
- Aplicaciones Wide:Ideal para UPS, solares, APF/SVG y sistemas de 3 niveles.
Aplicaciones
- Aplicaciones de 3 niveles
- PCS
- Sistemas UPS
- Aplicaciones solares
- APF/SVG
Dimensiones (mm)
