650V 375A Easy 3B Módulo de potencia IGBT
- Tensión colector-emisor (VCES): 650V
- Corriente de colector de CC (ICDC): 285A
- Corriente de colector pico repetitiva (ICRM): 750A
- Disipación de potencia total (Pa ): 380W
- Voltaje puerta-emisor (VGES): ±20V
- Temperatura de funcionamiento de la unión (Tj): Hasta 175°C
- Tensión de aislamiento (Vaislamiento):3.0 kV RMS
Descripción
La HCG375FL065E3RC Es un módulo IGBT de alta eficiencia de 650 V y 375 A de Zhejiang HIIITIO New Energy Co., Ltd., diseñado para aplicaciones de inversores NPC de 3 niveles. Utiliza tecnología avanzada de compuerta de trinchera/parada de campo y presenta baja tensión.CEsatBajas pérdidas de conmutación y un coeficiente de temperatura positivo para un rendimiento mejorado. El módulo integra un condensador de CC de Al.2O3 sustrato para baja resistencia térmica y tecnología DBC para un disipador térmico aislado, lo que garantiza una excelente gestión térmica y confiabilidad.
Características Clave:
- Topología NPC de 650 niveles de 3 V:Optimizado para inversores de alta potencia.
- Baja VCEsat y pérdidas por conmutación:Maximiza la eficiencia en operaciones de alta frecuencia.
- Condensador de CC integrado:Mejora la estabilidad del circuito.
- Al2O3 Sustrato y tecnología DBC:Conductividad térmica superior y aislamiento.
- Diseño de baja inductancia:Minimiza la EMI para un funcionamiento estable.
- Aplicaciones Wide: Adecuado para sistemas PCS, UPS, solares y APF/SVG.
Aplicaciones
- Aplicaciones de 3 niveles
- PCS
- Sistemas UPS
- Aplicaciones solares
- APF/SVG
Dimensiones (mm)
