Alimentación IGBT de 650 V y 150 A
- Tensión colector-emisor (VCES): 650V
- Corriente de colector de CC (ICDC): 125A
- Corriente de colector pico repetitiva (ICRM): 300A
- Disipación de potencia total (Pa ): 173W
- Voltaje puerta-emisor (VGES): ±20V
- Temperatura de funcionamiento de la unión (Tj): Hasta 175°C
- Tensión de aislamiento (Vaislamiento):3.0 kV RMS
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Descripción
La HCG150FL065E2RB Es un robusto módulo IGBT de 650 V y 150 A, diseñado por Zhejiang HIIITIO New Energy Co., Ltd. para aplicaciones de alta potencia. Mediante un proceso de compuerta de trinchera/parada de campo de 650 V, ofrece baja EMI, pérdidas de conmutación reducidas y un coeficiente de temperatura VCEsat positivo para un rendimiento estable. Su sustrato de Al₂O₃ garantiza una baja resistencia térmica, lo que mejora la disipación del calor en entornos exigentes.
Características Clave:
- Tecnología de compuerta de zanja/parada de campo de 650 V:Minimiza la EMI y maximiza la eficiencia.
- Pérdidas de conmutación bajas:Optimiza el rendimiento en operaciones de alta frecuencia.
- V positivaCEsat Coeficiente de temperatura:Garantiza un funcionamiento uniforme en todas las temperaturas.
- Al2O3 sustrato:Baja resistencia térmica para una gestión eficaz del calor.
- Diseño robusto y compacto:Abrazaderas integradas para un montaje fácil y duradero.
- Aplicaciones versátiles:Perfecto para sistemas de 3 niveles, PCS, UPS y más.
Aplicaciones
- Aplicaciones de 3 niveles
- PCS
- Sistemas UPS
- Aplicaciones solares
Dimensiones (mm)
