Alimentación IGBT de 650 V y 100 A
- Tensión colector-emisor (VCES): 650V
- Corriente de colector de CC (ICN): 100A
- Corriente de colector pico repetitiva (ICRM): 200A
- Disipación de potencia (Pa ): 135W
- Voltaje puerta-emisor (VGES): ±20V
- Temperatura de funcionamiento de la unión (Tj): Hasta 175°C
Descripción
La HCG100FL065E2RB Es un módulo IGBT de alto rendimiento de 650 V y 100 A diseñado para aplicaciones avanzadas de electrónica de potencia. Diseñado por Zhejiang HIIITIO New Energy Co., Ltd., este módulo utiliza un proceso de compuerta de trinchera/parada de campo de 650 V para ofrecer baja EMI, menores pérdidas de conmutación y un coeficiente de temperatura positivo para V.CEsatSu diseño compacto, con un Al2O3 Sustrato con baja resistencia térmica, garantiza una eficiente disipación del calor y un rendimiento confiable en condiciones exigentes.
Características Clave:
- Tecnología de compuerta de zanja/parada de campo de 650 V: Optimizado para baja EMI y alta eficiencia.
- Pérdidas de conmutación bajas: Mejora la eficiencia energética en aplicaciones de alta frecuencia.
- Coeficiente de temperatura VCEsat positivo: Garantiza un rendimiento estable en todos los rangos de temperatura.
- Sustrato de Al2O3: Proporciona baja resistencia térmica para una gestión superior del calor.
- Diseño compacto y resistente: Abrazaderas de montaje integradas para una instalación fácil y segura.
- Amplia gama de aplicaciones: Adecuado para sistemas de 3 niveles, PCS, UPS y más.
Aplicaciones
- Aplicaciones de 3 niveles
- PCS
- Sistemas UPS
- Aplicaciones solares
Dimensiones (mm)
