Módulo de potencia IGBT de alto voltaje de 6500 V y 250 A
El módulo de potencia IGBT de alto voltaje HCGM250P2SM65-PSA011 (6500 V/250 A) presenta una placa base AISiC, sustratos AIN, alta capacidad de ciclo térmico y resistencia a cortocircuitos de 10 μs, lo que garantiza un enfriamiento eficiente y estabilidad para variadores de tracción, controladores de motores, redes inteligentes e inversores de alta confiabilidad.
Descripción
La HCGM250P2SM65-PSA011 El módulo de potencia IGBT de alto voltaje está diseñado para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia, con una clasificación de 6500V / 250A. Con un Placa base AISiC y Sustratos de AIN, garantiza una gestión térmica superior y estabilidad del sistema. Con alta capacidad de ciclo térmicoEste módulo garantiza confiabilidad en condiciones extremas, mientras que su Capacidad de resistencia a cortocircuitos de 10 μs Mejora la protección del circuito, lo que lo convierte en una opción ideal para accionamientos de tracción, control de motores, redes inteligentes e inversores de alta confiabilidad.
Caracteristicas
- Placa base AISiC: Mejora la disipación del calor y la durabilidad del módulo.
- Sustratos AIN:Mejora el aislamiento eléctrico y la confiabilidad del sistema.
- Alta capacidad de ciclo térmico:Resiste entornos hostiles para una vida útil prolongada.
- Resistencia a cortocircuitos de 10 μs: Proporciona una protección superior contra cortocircuitos para una mayor seguridad.
Aplicaciones
- Accionamientos de tracción (transporte ferroviario, locomotoras eléctricas)
- Controladores de motor (accionamientos industriales, sistemas de automatización)
- Red electrica inteligente (gestión y distribución eficiente de energía)
- Inversores de alta confiabilidad (sistemas de conversión de energía eólica y solar)
