Módulo de potencia IGBT de 62 mm, 1200 V, 400 A
- Proceso de compuerta de zanja/parada de campo de 1200 V
- Bajo EMI
- VCEsat con coeficiente de temperatura positivo
- Pérdida de conmutación baja
- Capacidad de cortocircuito de 10 μs
Descripción
El HCG400FH120A2RB es un módulo de transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) de alto rendimiento, diseñado para aplicaciones exigentes que requieren fiabilidad y eficiencia. Con una tensión colector-emisor de 1200 V y una corriente continua de colector de CC de 400 A, este módulo ofrece un rendimiento excepcional en diversos sistemas de conversión de energía.
Características Clave:
- Clasificación de voltaje y corriente: Voltaje colector-emisor de 1200 V, corriente colector CC continua de 400 A, corriente pico de 800 A.
- Pérdidas de conmutación bajas: Diseñado para minimizar las pérdidas de energía durante el funcionamiento.
- Alta capacidad de cortocircuito: Admite hasta 10 μs de protección contra cortocircuitos, ideal para controladores de motores, inversores y aplicaciones de energía renovable.
- Aplicaciones versátiles: Perfecto para controladores de motores, convertidores de alta potencia, sistemas fotovoltaicos, UPS y máquinas de soldar.
- Eficiencia térmica: La baja resistencia térmica (unión al disipador: 0.064 K/W) garantiza una disipación efectiva del calor, manteniendo la confiabilidad del sistema.
Aplicaciones
- Accionamientos de motor
- Convertidores de alta potencia
- Generación de energía fotovoltaica
- Generación de energía eólica
- Sistemas UPS
- Máquinas de soldar
Este módulo IGBT está diseñado para aplicaciones de alta potencia y alta eficiencia y es una excelente opción para las industrias que dependen de un rendimiento estable y sólido.
Dimensiones (mm)
