El HCG3000S450S1K1 representa la tecnología IGBT más avanzada, ofreciendo la corriente nominal más alta de nuestra familia de 4500 V. Este módulo de empaquetado a presión está diseñado para las aplicaciones de alta potencia más exigentes en sistemas de energías renovables y transmisión eléctrica.
| Parámetro | Símbolo | Condiciones | Valor | Unidad |
|---|---|---|---|---|
| Tensión colector-emisor | VCES | VGE=0 V, Tvj=25 ℃ | 4500 | V |
| Corriente de colector de CC | lc | Tc=100℃,Tvj=150℃ | 3000 | A |
| Corriente máxima del colector | CM | tp=1ms | 6000 | A |
| Voltaje puerta-emisor | VGES | ± 20 | V | |
| Disipación total de energía | ptot | Tc=25°℃,Tvj=150℃ | 31200 | W |
| Corriente directa CC | IF | 3000 | A | |
| Corriente directa máxima | MICR | tp=1ms | 6000 | A |
| Sobrecorriente | IFSM | VR=0 V, Tvj=125 ℃,
tp=10ms, media onda sinusoidal |
21000 | A |
| Cortocircuito IGBT SOA | tpsc | Vcc=3400 V, chip VCEM≤4500 V VGE≤15 V, Tvj≤125 ℃ |
10 | μs |
| Temperatura máxima de unión | Tvj(máx.) | 125 | ℃ | |
| Temperatura de funcionamiento de la unión | Televisión | -40 ~ 125 | ℃ | |
| Temperatura de la caja | Tc | -40 ~ 125 | ℃ | |
| Temperatura de almacenamiento | TSTG | -40 ~ 70 | ℃ | |
| Fuerza de montaje | FM | 80-100 | kN |
HIITIO® se fundó en 2018 como resultado de la incorporación de un equipo de I+D maduro por parte de Hecheng Electric. HIITIO se especializa en la producción de dispositivos eléctricos de CC de alto voltaje para vehículos eléctricos, sistemas de energía solar y aplicaciones de almacenamiento de energía.
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