El HCG2000S450S2K1 es un módulo IGBT de grado industrial, diseñado específicamente para aplicaciones de ultraalta tensión. Con tecnología de empaquetado a presión y una estructura de puerta planar avanzada, este módulo ofrece un rendimiento inigualable en sistemas HVDC y de energías renovables.
| Parámetro | Símbolo | Condiciones | Valor | Unidad |
|---|---|---|---|---|
| Tensión colector-emisor | VCES | VGE=0 V, Tvj=25 ℃ | 4500 | V |
| Corriente de colector de CC | lc | Tc=100℃,Tvj=150℃ | 2000 | A |
| Corriente máxima del colector | CM | tp=1ms | 4000 | A |
| Voltaje puerta-emisor | VGES | ± 20 | V | |
| Disipación total de energía | ptot | Tc=25°℃,Tvj=150℃ | 20800 | W |
| Corriente directa CC | IF | 2000 | A | |
| Corriente directa máxima | MICR | tp=1ms | 4000 | A |
| Sobrecorriente | IFSM | VR=0 V, Tvj=125 ℃,
tp=10ms, media onda sinusoidal |
14000 | A |
| Cortocircuito IGBT SOA | tpsc | Vcc=3400 V, chip VCEM≤4500 V VGE≤15 V, Tvj≤150 ℃ |
10 | μs |
| Temperatura máxima de unión | Tvj(máx.) | 125 | ℃ | |
| Temperatura de funcionamiento de la unión | Televisión | -40 ~ 150 | ℃ | |
| Temperatura de la caja | Tc | -40 ~ 150 | ℃ | |
| Temperatura de almacenamiento | TSTG | -40 ~ 125 | ℃ | |
| Fuerza de montaje | FM | 60-75 | kN |
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