El módulo de potencia IGBT de alto voltaje HCGM1200ESM45-PSA011 (4500 V/1200 A) presenta una placa base de AlSiC, sustratos de AIN, alta capacidad de ciclo térmico, bajo Vce(sat) y resistencia a cortocircuitos de 10 μs, lo que garantiza un enfriamiento eficiente y estabilidad para variadores de tracción, controladores de motores, redes inteligentes e inversores de alta confiabilidad.
La HCGM1200ESM45-PSA011 El módulo de potencia IGBT de alto voltaje está diseñado para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia, con una clasificación de 4500V / 1200A. Con un Placa base de AlSiC y Sustratos de AIN, garantiza una gestión térmica y un rendimiento eléctrico superiores. Con alta capacidad de ciclo térmico y Resistencia a cortocircuitos de 10 μsEste módulo garantiza un funcionamiento estable en condiciones extremas. Su diseño de bajo Vce(sat) reduce las pérdidas de potencia, mientras que su alta densidad de corriente mejora la capacidad de gestión de potencia, lo que lo convierte en la opción ideal para accionamientos de tracción, control de motores, redes inteligentes e inversores de alta fiabilidad.
HIITIO® se fundó en 2018 como resultado de la incorporación de un equipo de I+D maduro por parte de Hecheng Electric. HIITIO se especializa en la producción de dispositivos eléctricos de CC de alto voltaje para vehículos eléctricos, sistemas de energía solar y aplicaciones de almacenamiento de energía.
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