Módulo de potencia IGBT de alto voltaje de 4500 V y 1200 A
El módulo de potencia IGBT de alto voltaje HCGM1200ASM45-PSA011 (4500 V/1200 A) presenta una placa base de AlSiC, sustratos de AIN, alta capacidad de ciclo térmico, bajo Vce(sat) y resistencia a cortocircuitos de 10 μs, lo que garantiza un enfriamiento eficiente y confiabilidad para variadores de tracción, controladores de motores, redes inteligentes e inversores de alta confiabilidad.
Descripción
La HCGM1200ASM45-PSA011 El módulo de potencia IGBT de alto voltaje está diseñado para aplicaciones de alta potencia, con una potencia nominal de 4500V / 1200A, que ofrece una eficiencia de conversión de energía excepcional. Placa base de AlSiC y Sustratos de AIN, garantiza una gestión térmica superior. Con alta capacidad de ciclo térmico y Resistencia a cortocircuitos de 10 μsMejora la fiabilidad y estabilidad del sistema. Además, este módulo incorpora un dispositivo de bajo Vce(sat) y alta densidad de corriente diseño, reduciendo pérdidas de potencia y optimizando la eficiencia.
Caracteristicas
- Placa base de AlSiC: Mejora la disipación del calor y la durabilidad del módulo.
- Sustratos AIN:Mejora el aislamiento eléctrico para una estabilidad a largo plazo.
- Alta capacidad de ciclo térmico:Se adapta a variaciones extremas de temperatura, garantizando confiabilidad.
- Resistencia a cortocircuitos de 10 μs: Proporciona una protección superior contra cortocircuitos para una mayor seguridad.
- Dispositivo de bajo Vce(sat):Reduce las pérdidas de potencia y mejora la eficiencia energética.
- Alta densidad de corriente:Optimiza la utilización del espacio, lo que permite aplicaciones de alta potencia.
Aplicaciones
- Accionamientos de tracción (transporte ferroviario, locomotoras eléctricas)
- Controladores de motor (accionamientos industriales, sistemas de automatización)
- Red electrica inteligente (gestión y distribución eficiente de energía)
- Inversores de alta confiabilidad (sistemas de conversión de energía eólica y solar)
