Módulo de potencia IGBT de alto voltaje de 3300 V y 1600 A
El módulo de potencia IGBT de alto voltaje HCGM1600N3SM33-TSA000, con una potencia nominal de 3300 V/1600 A, cuenta con una placa base AISiC y sustratos AIN para un rendimiento térmico superior y bajas pérdidas de conmutación.
Descripción
La HCGM1600N3SM33-TSA000 El módulo de potencia IGBT de alto voltaje está diseñado para aplicaciones industriales de alta potencia y alta confiabilidad. Con un 3300V tensión nominal y 1600A capacidad actual, este módulo integra Placa base AISiC y Sustratos de AIN, lo que garantiza una gestión térmica superior y estabilidad eléctrica. bajas pérdidas de conmutación y Resistencia a cortocircuitos de 10 μs, garantiza un rendimiento eficiente en entornos exigentes.
Caracteristicas
- Placa base AISiC: Mejora la gestión térmica y la confiabilidad del sistema.
- Sustratos AIN:Optimiza el rendimiento eléctrico y la estabilidad a largo plazo.
- Pérdidas de conmutación bajas:Reduce el consumo energético y mejora la eficiencia.
- Resistencia a cortocircuitos de 10 μs:Garantiza la seguridad y resiliencia del sistema frente a fallos.
Aplicaciones
- Accionamientos de tracción (transporte ferroviario, locomotoras eléctricas, etc.)
- Controladores de motor (accionamientos industriales, control de automatización, etc.)
- Red electrica inteligente (distribución y gestión eficiente de la energía)
- Inversores de alta confiabilidad (sistemas de conversión de energía eólica y solar)
