El HCG1500S330H2K1 representa la próxima generación de tecnología de semiconductores de potencia, ofreciendo un rendimiento superior en un encapsulado H compacto. Este módulo está diseñado para las aplicaciones de conversión de potencia más exigentes.
| Parámetro | Símbolo | Condiciones | Valor | Unidad |
|---|---|---|---|---|
| Tensión colector-emisor | VCES | VGE=0 V, Tvj=25 ℃ | 3300 | V |
| Corriente de colector de CC | lc | Tc=100℃,Tvj=150℃ | 1500 | A |
| Corriente máxima del colector | CM | tp=1ms | 3000 | A |
| Voltaje puerta-emisor | VGES | ± 20 | V | |
| Disipación total de energía | ptot | Tc=25°℃,Tvj=150℃ | 16 | kW |
| Corriente directa CC | IF | 1500 | A | |
| Corriente directa máxima | MICR | tp=1ms | 3000 | A |
| Sobrecorriente | IFSM | VR=0 V, Tvj=150 ℃,
tp=10ms, media onda sinusoidal |
13500 | A |
| Cortocircuito IGBT SOA | tpsc | Vcc=2500 V, chip VCEM≤3300 V VGE≤15 V, Tvj≤150 ℃ |
10 | μs |
| Temperatura máxima de unión | Tvj(máx.) | 150 | ℃ | |
| Temperatura de funcionamiento de la unión | Televisión | -40 ~ 150 | ℃ | |
| Temperatura de la caja | Tc | -40 ~ 150 | ℃ | |
| Temperatura de almacenamiento | TSTG | -40 ~ 125 | ℃ |
HIITIO® se fundó en 2018 como resultado de la incorporación de un equipo de I+D maduro por parte de Hecheng Electric. HIITIO se especializa en la producción de dispositivos eléctricos de CC de alto voltaje para vehículos eléctricos, sistemas de energía solar y aplicaciones de almacenamiento de energía.
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