El módulo de potencia IGBT de alto voltaje HCGM1500E2SM33-PSA012, con una potencia nominal de 3300 V/1500 A, incorpora una placa base de AISiC y sustratos de AIN para optimizar los ciclos térmicos. Con una resistencia a cortocircuitos de 10 μs, garantiza una disipación térmica eficiente y estabilidad, ideal para variadores de velocidad, controladores de motores, redes inteligentes e inversores de alta fiabilidad.
La HCGM1500E2SM33-PSA012 El módulo de potencia IGBT de alto voltaje está diseñado para aplicaciones industriales de alto voltaje y alta corriente, con una clasificación de 3300V / 1500A para garantizar una excelente eficiencia de conversión de energía. Con un Placa base AISiC y Sustratos de AINMejora el rendimiento térmico y la estabilidad del sistema. Con alta capacidad de ciclo térmico y Resistencia a cortocircuitos de 10 μsEste módulo garantiza un funcionamiento confiable en condiciones exigentes, lo que lo hace ideal para accionamientos de tracción, control de motores, redes inteligentes e inversores de alta confiabilidad.
HIITIO® se fundó en 2018 como resultado de la incorporación de un equipo de I+D maduro por parte de Hecheng Electric. HIITIO se especializa en la producción de dispositivos eléctricos de CC de alto voltaje para vehículos eléctricos, sistemas de energía solar y aplicaciones de almacenamiento de energía.
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