El módulo de potencia IGBT de alto voltaje HCGM1500ESM33-PSA012, con una potencia nominal de 3300 V/1500 A, cuenta con una placa base de AISiC y sustratos de AIN para una excelente resistencia a los ciclos térmicos y una alta densidad de corriente. Con bajas pérdidas de conmutación y una resistencia a cortocircuitos de 10 μs, es ideal para variadores de tracción, controladores de motores, redes inteligentes e inversores de alta fiabilidad.
La HCGM1500ESM33-PSA012 El módulo de potencia IGBT de alto voltaje está diseñado para aplicaciones de conversión de alta potencia, con una potencia nominal de 3300V y 1500A, garantizando una transferencia de energía eficiente. Con Placa base AISiC y Sustratos de AINOfrece un rendimiento térmico mejorado y estabilidad del sistema. Con Alta capacidad de ciclo térmico, alta densidad de corriente y bajas pérdidas de conmutaciónEste módulo proporciona una eficiencia de conversión de energía superior. Además, su Capacidad de resistencia a cortocircuitos de 10 μs Garantiza la seguridad y confiabilidad del sistema.
HIITIO® se fundó en 2018 como resultado de la incorporación de un equipo de I+D maduro por parte de Hecheng Electric. HIITIO se especializa en la producción de dispositivos eléctricos de CC de alto voltaje para vehículos eléctricos, sistemas de energía solar y aplicaciones de almacenamiento de energía.
Solución
Envianos un WhatsApp
Años de experiencia
Países y áreas
Clientes
㎡ Fábrica de fabricación
años de experiencia
Страны y регионы
Klentov
㎡ Производственная фабрика
Descargue nuestro catálogo