El HCG1000S330H1K1 es un módulo de potencia IGBT de alta gama diseñado para aplicaciones exigentes de alta potencia. Con tecnología avanzada de puerta planar y estructura de parada de campo, este módulo ofrece un rendimiento excepcional en un encapsulado H1 estándar.
| Parámetro | Símbolo | Condiciones | Valor | Unidad |
|---|---|---|---|---|
| Tensión colector-emisor | VCES | VGE=0 V, Tvj=25 ℃ | 3300 | V |
| Corriente de colector de CC | lc | Tc=100℃,Tvj=150℃ | 1000 | A |
| Corriente máxima del colector | CM | tp=1ms | 2000 | A |
| Voltaje puerta-emisor | VGES | ± 20 | V | |
| Disipación total de energía | ptot | Tc=25°℃,Tvj=150℃ | 10 | kW |
| Corriente directa CC | IF | 1000 | A | |
| Corriente directa máxima | MICR | tp=1ms | 2000 | A |
| Sobrecorriente | IFSM | VR=0 V, Tvj=150 ℃, tp=10 ms, media onda sinusoidal | 9000 | A |
| Cortocircuito IGBT SOA | tpsc | Vcc=2500 V,VCEM Chip ≤ 3300 V VGE≤15 V, Tvj≤150 ℃ |
10 | μs |
| Temperatura máxima de unión | Tvj(máx.) | 150 | ℃ | |
| Temperatura de funcionamiento de la unión | Televisión | -40 ~ 150 | ℃ | |
| Temperatura de la caja | Tc | -40 ~ 150 | ℃ | |
| Temperatura de almacenamiento | T stg | -40 ~ 125 | ℃ |


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