El módulo de potencia IGBT de alto voltaje HCGM1000NSM33-PSA011, con una potencia nominal de 3300 V/1000 A, cuenta con una placa base de AISiC y sustratos de AIN para una excelente resistencia a los ciclos térmicos. Con una resistencia a cortocircuitos de 10 μs, garantiza una excelente disipación del calor y estabilidad del sistema, lo que lo hace ideal para variadores de tracción, controladores de motores, redes inteligentes e inversores de alta fiabilidad.
La HCGM1000NSM33-PSA011 El módulo de potencia IGBT de alto voltaje está diseñado para aplicaciones de alto voltaje y alta corriente, con una clasificación de 3300V / 1000A, lo que garantiza una conversión de energía eficiente y una gestión térmica excepcional. Placa base AISiC y Sustratos de AIN, mejora la estabilidad térmica y la confiabilidad eléctrica. Con alta capacidad de ciclo térmico y Resistencia a cortocircuitos de 10 μsEste módulo garantiza estabilidad a largo plazo bajo cargas elevadas y condiciones extremas, lo que lo hace ideal para accionamientos de tracción, control de motores, redes inteligentes e inversores de alta confiabilidad.
HIITIO® se fundó en 2018 como resultado de la incorporación de un equipo de I+D maduro por parte de Hecheng Electric. HIITIO se especializa en la producción de dispositivos eléctricos de CC de alto voltaje para vehículos eléctricos, sistemas de energía solar y aplicaciones de almacenamiento de energía.
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