HCM2G0650170J

Schottky de carburo de silicio de 1700 V

VDS = 1700V
RDS (activado) = 750 mΩ (VGS = 15 V)
RDS (activado) = 550 mΩ (VGS = 20 V)
TJ,máx. = 175 ℃

SKU HCM2G0650170J Categoría: Mosfet discreto de SiC

Módulo

PREMIUM

Voltaje de bloqueo (V)

Temperatura máxima (℃)

Descripción

Caracteristicas

Alto voltaje de bloqueo
Baja resistencia de encendido con alta temperatura de unión
Conmutación de alta velocidad con baja capacitancia.
Diodo intrínseco rápido con baja recuperación inversa (Qrr)
RoHS

Beneficios

Mayor eficiencia del sistema
Reducir los requisitos de refrigeración
El aumento de densidad de potencia
Permitiendo una frecuencia más alta
Minimizar el sonido de la puerta
Reducción de la complejidad y el coste del sistema

Aplicaciones

Fuentes de alimentación de modo conmutado
Convertidores DC / DC
Inversores solares
Cargadores de baterías
Accionamientos de motor

Máximos ratings

Tc=25°C a menos que se especifique lo contrario

Descargas

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