El HCG600FC170D3K4 es un módulo IGBT de alto rendimiento de 1700 V y 600 A, diseñado para aplicaciones exigentes de electrónica de potencia. Con un encapsulado E6 con diodo de rueda libre (FWD) integrado y termistor NTC, este módulo ofrece una eficiencia y fiabilidad excepcionales. Fabricado con una avanzada estructura de compuerta de trinchera de 1700 V y parada de campo, garantiza bajas pérdidas de conmutación y una alta capacidad de cortocircuito, lo que lo hace ideal para sistemas industriales y de energías renovables.
| Parámetro | Símbolo | Estado del producto | Valor | Unidad |
|---|---|---|---|---|
| Voltaje colector-emisor | VCES | VGE=0 V, Tvj=25 ℃ | 1700 | V |
| Corriente de colector de CC | lc | Tc=110℃,Tvjmáx=175℃ | 600 | A |
| Corriente máxima del colector | ICM | tp=1ms | 1200 | A |
| Voltaje pico de puerta-emisor | VGES | ± 20 | V | |
| Disipación total de la energía | ptot | Tc=25℃,Tvjmáx=175℃ | 3660 | W |
| Tensión inversa de pico repetitiva | VRM | Tvj=25℃ | 1700 | V |
| Corriente continua directa de CC | IF | 600 | A | |
| Corriente directa de pico repetitiva | MICR | tp=1ms | 1200 | A |
| Valor Pt | 12t | VR=0 V, tp=10 ms, Tvj=125 ℃ | 59000 | A2s |
| Tiempo de resistencia al cortocircuito del IGBT | tpsc | 10 | μs | |
| Temperatura máxima de unión | Tvjmax | 175 | ℃ | |
| Temperatura de unión operativa | Televisión | -40 ~ 150 | ℃ | |
| Temperatura de almacenamiento | TSTG | -40 ~ 125 | ℃ |
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