El HCG600FH170D3K4 es un robusto módulo IGBT de 1700 V y 600 A, optimizado para aplicaciones de alta potencia. Encapsulado en un encapsulado E6 con diodo de rueda libre (FWD) y termistor NTC integrados, utiliza tecnología avanzada de compuerta de trinchera y parada de campo de 1700 V para minimizar las pérdidas de conmutación y una excelente resistencia a cortocircuitos. Este módulo está diseñado para ofrecer fiabilidad en entornos exigentes, como los sistemas de energía renovable.
| Parámetro | Símbolo | Estado del producto | Valor | Unidad |
|---|---|---|---|---|
| Tensión colector-emisor | VCES | VGE=0 V, Tvj=25 °C | 1700 | V |
| Corriente de colector de CC | IC | TC=110°C, Tvj máx.=175°C | 600 | A |
| Corriente máxima del colector | ICM | tp=1ms | 1200 | A |
| Voltaje pico de compuerta-emisor | VGES | – | ± 20 | V |
| Disipación total de energía | ptot | TC=25°C, Tvj máx.=175°C | 3660 | W |
| Voltaje inverso pico repetitivo | VRM | Tvj=25°C | 1700 | V |
| Corriente continua directa de CC | IF | – | 600 | A |
| Corriente directa de pico repetitiva | MICR | tp=1ms | 1200 | A |
| Valor I²t | Yo²t | VR=0 V, tp=10 ms, Tvj=125 °C | 41530 | A² |
| Tiempo de resistencia al cortocircuito de los IGBT | tpsc | – | 10 | μs |
| Temperatura máxima de unión | Tvj máximo | – | 175 | ° C |
| Temperatura de unión operativa | Tvj op | – | -40 a 150 | ° C |
| Temperatura de almacenamiento | TSTG | – | -40 a 125 | ° C |
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