El HCGM3600E2SM17-TSA000 single switch El módulo IGBT incorpora una placa base AISiC avanzada y sustratos AIN, con capacidad para 1700 V y 3600 A. Ofrece excelentes ciclos térmicos y una resistencia a cortocircuitos de 10 μs, lo que lo hace ideal para variadores de tracción, controladores de motores, redes inteligentes e inversores de alta fiabilidad.
Descripción general del producto: HCGM3600E2SM17-TSA000 single switch El módulo IGBT utiliza tecnología AISiC y AIN de vanguardia, diseñada para aplicaciones industriales de alta potencia, y brinda una conversión de energía estable y eficiente.
HIITIO® se fundó en 2018 como resultado de la incorporación de un equipo de I+D maduro por parte de Hecheng Electric. HIITIO se especializa en la producción de dispositivos eléctricos de CC de alto voltaje para vehículos eléctricos, sistemas de energía solar y aplicaciones de almacenamiento de energía.
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