El HCG1200FC170D3K5 es un potente módulo IGBT de 1700 V y 1200 A con un chopper Estructura diseñada para aplicaciones industriales de alta potencia. Con un encapsulado E6 con diodo de rueda libre (FWD) integrado y termistor NTC, incorpora tecnología avanzada de compuerta de trinchera de 1700 V y parada de campo para bajas pérdidas, alta fiabilidad y una robusta protección contra cortocircuitos. Este módulo es perfecto para la gestión eficiente de la energía en sistemas industriales y de energías renovables.
| Parámetro | Símbolo | Estado del producto | Valor | Unidad |
|---|---|---|---|---|
| Tensión colector-emisor | VCES | VGE=0 V, Tvj=25 °C | 1700 | V |
| Corriente de colector de CC | IC | TC=95°C, Tvj máx.=175°C | 1200 | A |
| Corriente máxima del colector | ICM | tp=1ms | 2400 | A |
| Voltaje pico de compuerta-emisor | VGES | – | ± 20 | V |
| Disipación máxima de potencia del IGBT | ptot | TC=25°C, Tvj máx.=175°C | 5555 | W |
| Voltaje inverso pico repetitivo | VRM | Tvj=25°C | 1700 | V |
| Corriente continua directa de CC (freno-Chopper Diodo) | IF | – | 600 | A |
| Corriente continua directa de CC (diodo inverso) | IF | – | 200 | A |
| Corriente de avance pico repetitiva (freno-Chopper Diodo) | MICR | tp=1ms | 1200 | A |
| Corriente directa de pico repetitiva (diodo inverso) | MICR | tp=1ms | 400 | A |
| Valor I²t (Freno-Chopper Diodo) | Yo²t | VR=0 V, tp=10 ms, Tvj=125 °C | 58650 | A² |
| Valor I²t (diodo inverso) | Yo²t | VR=0 V, tp=10 ms, Tvj=125 °C | 6615 | A² |
| Temperatura máxima de unión | Tvj máximo | – | 175 | ° C |
| Temperatura de unión operativa | Tvj op | – | -40 a 150 | ° C |
| Temperatura de almacenamiento | TSTG | – | -40 a 125 | ° C |
HIITIO® se fundó en 2018 como resultado de la incorporación de un equipo de I+D maduro por parte de Hecheng Electric. HIITIO se especializa en la producción de dispositivos eléctricos de CC de alto voltaje para vehículos eléctricos, sistemas de energía solar y aplicaciones de almacenamiento de energía.
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