El HCG600FH120D3K4D2 es un módulo IGBT de alto rendimiento de 1200 V y 600 A, diseñado para aplicaciones exigentes de electrónica de potencia. Con un encapsulado E6 con diodo de rueda libre (FWD) integrado y termistor NTC, este módulo garantiza un funcionamiento eficiente y fiable en sistemas de alta potencia.
| Parámetro | Símbolo | Estado del producto | Valor | Unidad |
|---|---|---|---|---|
| Voltaje colector-emisor | VCES | VGE=OV,Tvj=25℃ | 1200 | V |
| Corriente de colector de CC | Ic | Tc=115℃, Tyj,máx.=175℃ | 600 | A |
| Corriente máxima del colector | ICM | tp=1ms | 1200 | A |
| Voltaje pico de puerta-emisor | VGES | ± 20 | V | |
| Disipación total de la energía | ptot | Tc=25°℃, Tvj,máx.=175℃ | 3950 | W |
| Tensión inversa de pico repetitiva | VRM | Tvj=25℃ | 1200 | V |
| Corriente continua directa de CC | IF | 600 | A | |
| Corriente directa de pico repetitiva | MICR | tp=1ms | 1200 | A |
| Valor Rt | 12t | VR = 0 V, tp = 10 ms, Tv = 125 ℃ | 51000 | A2s |
| Tiempo de resistencia al cortocircuito del IGBT | tpsc | 10 | μs | |
| Temperatura máxima de unión | Tvjmax | 175 | ℃ | |
| Temperatura de unión operativa | Televisión | -40 ~ 150 | ℃ | |
| Temperatura de almacenamiento | TST | -40 ~ 125 | ℃ |
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