El módulo IGBT HCG450FL120A3F5D1 de HIITIO es un semiconductor de potencia de alto rendimiento de 1200 V y 450 A en un encapsulado A3. Integra un diodo de rueda libre (FWD) y un termistor NTC para una mejor monitorización y protección térmica. Con bajas pérdidas de conmutación, alta densidad de potencia y un coeficiente de temperatura positivo, este módulo está diseñado para aplicaciones exigentes de electrónica de potencia.
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
|---|---|---|---|
| Temperatura máxima de unión | Tvjmax | 175 | ℃ |
| Temperatura de unión operativa | Televisión | -40 ~ 150 | ℃ |
| Temperatura de almacenamiento | TSTG | -40 ~ 125 | ℃ |
HIITIO® se fundó en 2018 como resultado de la incorporación de un equipo de I+D maduro por parte de Hecheng Electric. HIITIO se especializa en la producción de dispositivos eléctricos de CC de alto voltaje para vehículos eléctricos, sistemas de energía solar y aplicaciones de almacenamiento de energía.
Solución:
Soporte
Años de experiencia
Países y áreas
Clientes
㎡ Fábrica de fabricación
años de experiencia
Страны y регионы
Klentov
㎡ Производственная фабрика
Descargue nuestro catálogo
