El HCM32S12T4K2B es un MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de 1200 V y 32 mΩ en un TO-247-4Encapsulado L, diseñado para aplicaciones de alta eficiencia y alta confiabilidad. Fabricado con tecnología MOSFET de SiC de 3.ª generación, ofrece baja resistencia de encendido, conmutación de alta velocidad y excelente rendimiento térmico.
| Parámetro | Símbolo | Estado del producto | Valor | Unidad |
|---|---|---|---|---|
| Voltaje de drenaje-fuente | VDS máx. | VGs=0 V, Ip=100 μA | 1200 | V |
| Voltaje de puerta-fuente | VGS máx. | Valores máximos absolutos | -10 / 22 + | V |
| VGS op | Valores operativos recomendados | -5 / 18 + | V | |
| Corriente de drenaje continua | ID | VGs=18 V, Tc=25 ℃ | 90 | A |
| VGs=18 V, Tc=100 ℃ | 64 | |||
| Corriente de drenaje pulsada | Pulso de identificación | Ancho de pulso tp limitado por Tvjmax | 270 | A |
| Disipación de potencia | PD | Tc=25℃, Tvjmáx=175℃ | 417 | W |
| Temperatura de unión operativa | Televisión | -55 ~ 175 | ℃ | |
| Rango de temperatura de almacenamiento | TSTG | -55 ~ 175 | ℃ |
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