Diodo Schottky de SiC discreto Están diseñados para una alta eficiencia y un control preciso, con excelente resistencia a altas temperaturas, tolerancia al voltaje y respuesta a altas frecuencias. Ampliamente utilizados en automatización industrial, electrónica automotriz y sistemas de gestión de energía, ofrecen soluciones de conversión de energía estables y eficientes.
Imagen: | Número de refacción | Tipo | PREMIUM | Diagrama de circuito | Voltaje de bloqueo (V) | Corriente (A) | RDs(activado) (mΩ) | Temperatura máxima (℃) | Especificaciones |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SiC SBD | TO-220-2 | 1200 | 2 | 159 | ||||
| SiC SBD | TO-220-2 | 650 | 4 | 153 | ||||
 | SiC SBD | DFN8*8 | 650 | 6 | 159 | ||||
 | SiC SBD | SOT-227 | 1200 | 120 | 108 | ||||
 | SiC SBD | TO-247-3 | 1200 | 16 | 155 | ||||
| SiC SBD | TO-247-3 | 1200 | 20 | 152 | ||||
 | SiC SBD | TO-247-2 | 1200 | 20 | 150 | ||||
| SiC SBD | TO-247-3 | 1200 | 40 | 151 | ||||
| SiC SBD | TO-247-2 | 1200 | 40 | 155 | ||||
| SiC SBD | TO-247-2 | 1200 | 60 | 144 | ||||
 | MOSFET DE SiC | TO-247-4L | 1200 | 13 | |||||
| MOSFET DE SiC | TO-247-3 | 1200 | 75 | 37 | ||||
 | MOSFET DE SiC | TO-247-4 | 1200 | 75 | 37 | ||||
| MOSFET DE SiC | TO-247-3 | 1200 | 42 | 75 | ||||
| MOSFET DE SiC | TO-247-4 | 1200 | 42 | 75 | ||||
| MOSFET DE SiC | TO-247-3 | 1700 | 9 | 650 | ||||
 | MOSFET DE SiC | TO-220F-3 | 1700 | 175 | |||||
 | MOSFET DE SiC | TO-263-7 | 1700 | 175 | |||||
| MOSFET DE SiC | TO-247-4L | 1200 | 32 | |||||
| MOSFET DE SiC | TO-247-4L | 1200 | 32 |
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