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Dossier de prensa IGBT

Tecnología IGBT revolucionaria empaquetada a presión que ofrece densidad de potencia, confiabilidad y rendimiento térmico inigualables para aplicaciones industriales exigentes.

Tensión nominal máxima: 6500 V

Clasificación de corriente máxima: 5000A

Productos

Si bien los módulos aislados son los paquetes IGBT más comúnmente utilizados, los dispositivos prensados son los preferidos en aplicaciones que requieren conexión en serie debido a su facilidad de apilamiento eléctrico y mecánico, así como a su capacidad inherente para conducir en un estado de cortocircuito.

4500V / 2000A

Transmisión flexible de corriente continua de energía eólica marina de aguas profundas e interconexión flexible de corriente continua a la red eléctrica regional.

Capacidad de la válvula del convertidor de transmisión flexible: ±500 kV/2 GW

4500V / 3000A

Transmisión UHVDC de larga distancia, interconexión de CC flexible a la red regional, transmisión de CC flexible de energía eólica marina en aguas profundas y capacidades mejoradas de soporte activo de la red.

Capacidad de la válvula del convertidor de transmisión flexible: ±800 kV/5 GW, ±500 kV/3 GW

6500V / 2000A

Transmisión flexible de corriente continua de energía eólica marina de aguas profundas e interconexión flexible de corriente continua a la red eléctrica regional.

Capacidad de la válvula del convertidor de transmisión flexible: ±500 kV/2 GW (compacto)

6500V / 3000A

Transmisión UHVDC de larga distancia, interconexión de CC flexible a la red regional, transmisión de CC flexible de energía eólica marina en aguas profundas y capacidades mejoradas de soporte activo de la red.

Capacidad de la válvula del convertidor de transmisión flexible: ±800 kV/5 GW (compacto) y ±500 kV/3 GW (compacto)

Nuestro Dossier de Prensa Proyectos IGBT en Operación

Proyecto de red de CC flexible de Zhangbei

Nivel de voltaje: ± 500kV
Nivel de potencia: 3000MW
Estación conversora: Estación convertidora Yanqing

Dangxiong y Saga, Tíbet estático sincrónico

Nivel de voltaje: CA 35 kV
Nivel de potencia: ±(50~150) Mvar
Estación conversora: Estación convertidora de Dangxiong y Saga

Proyecto de CC flexible consecutivo del Canal Central de Guangdong

Nivel de voltaje: ± 300kV
Nivel de potencia: 2*1500 MW
Estación conversora: Estación convertidora de Yuezhong

Proyecto de transmisión UHVDC Baihetan-Jiangsu

Nivel de voltaje: ± 800kV
Nivel de potencia: 8000MW
Estación conversora: Sur
Estación convertidora

Dossier de prensa avanzado sobre tecnología IGBT

Nuestros módulos IGBT en paquete de prensa combinan tecnología de semiconductores de vanguardia con un diseño mecánico robusto para ofrecer un rendimiento superior en las aplicaciones más exigentes.

Densidad de alta potencia

Clasificación de hasta 6500 V/3000 A con gestión térmica optimizada para máxima potencia en un formato compacto.

Fiabilidad superior

La robusta construcción tipo prensa garantiza una excelente estabilidad mecánica y una confiabilidad a largo plazo en entornos hostiles.

Enfriamiento mejorado

Capacidad de enfriamiento de doble cara con contacto directo con el sustrato para un rendimiento térmico óptimo.

Fácil integración

Dimensiones de carcasa e interfaces de conexión estandarizadas para una integración perfecta del sistema.

¿Por qué elegir HIITIO como su socio ideal?

Elegir HIITIO significa elegir un socio dedicado a ayudarle a alcanzar el éxito en su proyecto Presspack IGBT. Lo que nos distingue no es solo nuestra experiencia, sino también nuestro compromiso de ofrecerle valor.

Plataforma de tecnología de chips

Con base en las tendencias de desarrollo de la industria de semiconductores, realizamos investigaciones técnicas sobre las generaciones de tecnología de chips para eliminar las barreras técnicas para el desarrollo de productos.

Plataforma de tecnología de embalaje

En función de las necesidades de los diferentes escenarios de aplicación, gestionamos el desarrollo del producto en dos líneas: rendimiento y estándar, mejorando la competitividad del producto en el mercado.

Dossier de prensa Certificación IGBT-1
Dossier de prensa Certificación IGBT-2
Dossier de prensa Certificación IGBT-4
Dossier de prensa Certificación IGBT-3

HIITIO implementa una gestión integral. Los detalles son los siguientes:

Servicio de Desarrollo de Productos

Hemos adoptado el proceso de desarrollo IPD de Huawei y lo hemos integrado con la esencia de APQP en el proceso de desarrollo de productos de HIITIO.

Gestión de la calidad del material entrante

Posee equipos avanzados de inspección de material entrante, que cubren principalmente las propiedades del material de las materias primas de embalaje.

Control de procesos de productos

Utilice líneas de producción automatizadas avanzadas y sistemas digitales para lograr la trazabilidad completa del producto, realizar SPC, MSA y gestionar alarmas de anomalías.

Gestión de calidad de proveedores

Implementar un sistema riguroso de gestión de la cadena de suministro desde el inicio hasta la producción en masa, que abarque la investigación de proveedores y el manejo de incidentes de calidad.

Certificaciones del sistema

Contamos con certificaciones ISO 9001, IATF 16949, ISO 45001 e ISO 14001.

Capacidad de Producción

La línea de pruebas y empaquetado de IGBT de semiconductores HIITIO es una línea de producción y prueba de empaquetado de módulos de potencia digitales totalmente automatizada y líder a nivel nacional.

3100

Sala limpia clase 1000 (㎡)

1000000

Capacidad de producción anual de módulos soldados (unidades)

50000

Capacidad de producción anual de módulos de ajuste a presión (unidad)

> 98%

Tasa de rendimiento de productos de media y baja tensión

Capacidades de prueba de aplicaciones

El laboratorio de dispositivos de potencia semiconductores de HIITIO ocupa una superficie de 2,930 metros cuadrados y cuenta con una inversión acumulada de más de 100 millones de yuanes. Incluye evaluación de fiabilidad, análisis de fallos y capacidades de prueba, abarcando una gama completa de capacidades de certificación, desde dispositivos de potencia de 650 V hasta 6500 V. Obtendrá la certificación nacional CNAS en 2023.

Evaluación de confiabilidad

Pruebas ambientales; Almacenamiento a alta y baja temperatura; Fluctuaciones de temperatura y humedad; Ciclos de temperatura; Choque de frío y calor; Prueba de niebla salina; Prueba de choque.

Evaluación del desempeño

Pruebas de parámetros estáticos; Pruebas de parámetros dinámicos; Pruebas de resistencia térmica; Pruebas de aumento de temperatura; Pruebas de capacidad máxima; Pruebas de sobretensión; Pruebas RBSOA.

Evaluación de aplicaciones

Sistema de evaluación de pruebas de dos niveles; Sistema de evaluación de pruebas de tres niveles; Sistema de prueba de envejecimiento de potencia reactiva; Sistema de prueba de aplicación de motor; Plataforma de prueba de desconexión de tres a tres pares.

Analisis fallido

Fluoroscopia de rayos X; Barrido acústico; Microscopio metalográfico; Imágenes térmicas infrarrojas; Ubicación de puntos calientes; Microscopio electrónico de barrido; Prueba de cortocircuito en paralelo;

Aplicación de HIITIO PressPack IGBT

Transmisión UHVDC de larga distancia

Transmisión flexible de corriente continua para energía eólica marina en aguas profundas

Interconexión flexible de corriente continua a la red eléctrica regional

Mejora de las capacidades de soporte activo de las redes eléctricas

¡Actualice a Press Pack IGBT para un rendimiento superior!

Alimente su sistema con Dossier de prensa de HIITIO IGBTDiseñado para aplicaciones de alta potencia y alto voltaje. Ideal para HVDC, energías renovables y variadores industriales. HIITIO Ofrece durabilidad, redundancia y rendimiento en el que puede confiar.

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